客服
2023 年度国家科学技术奖励大会2为led精英斩获殊荣
来源：
时间：2024-06-25 18:18:19
在科技发展日新月异的当今时代，国家科学技术奖励大会作为我国科技领域的盛事，彰显着我国在科技创新方面的卓越成就。2024 年 6 月 24 日，2023 年度国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂盛大举行，众多杰出的科研成果和优秀的科学家们在此收获了属于他们的荣耀。
2024 年 6 月 24 日，2023 年度国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行。
今年的奖项呈现出丰富多样的分布，具有诸多显著的获奖特点：
国家最高科学技术奖授予 2 人，分别是武汉大学的李德仁院士和清华大学的薛其坤院士。
国家自然科学奖共有 49 项，其中一等奖 1 项，二等奖 48 项。
国家技术发明奖达 62 项，包含一等奖 8 项，二等奖 54 项。
国家科学技术进步奖共计 139 项，其中特等奖 3 项，一等奖 16 项，二等奖 120 项。
此外，中华人民共和国国际科学技术合作奖的获得者有 10 人。
三安集成
荣膺国家科学技术进步一等奖
其中，三安光电的全资子公司三安集成与西安电子科技大学、华为、中兴通讯、中国电子科技集团公司第十三研究所等单位携手完成的“高能效超宽带氮化镓功率放大器关键技术及在 5G 通信产业化应用”项目，荣获 2023 年度国家科学技术进步奖一等奖。
该项目成功攻克了高品质氮化镓（GaN）射频功放芯片在 5G 通信产业化应用方面的技术难题，促使 GaN 器件在 5G 移动基站实现大规模应用，确保我国基站用 GaN 器件及工艺处于国际领先水平。
三安集成在该项目中承担了氮化镓功率放大器关键技术的研发与产业化工作，构建了自主工艺技术平台。通过与高校、通讯龙头企业的协同合作，攻克了 5G 移动通信基站用宽带、高效、高线性功率放大器的核心工艺技术，形成了具备自主知识产权的氮化镓功放芯片制造工艺技术解决方案，并通过了 5G 组件和系统的应用验证，实现了在客户端的稳定批量供货。
5G 技术对射频功放的工作频率、能效、带宽和线性度均提出了更为严苛的要求。氮化镓作为第三代半导体材料，相比传统硅基射频器件具有更出色的高频特性，被业界视作目前 5G 基站功放的最优解决方案。该项目成果有效满足了我国 5G 基站对高性能氮化镓功放的迫切需求，为我国在新一代移动通信技术领域占据国际领先地位奠定了关键基础，并取得了显著的经济和社会效益。据中国信通院白皮书发布的信息，截至 2023 年 10 月底，国内已部署开通 5G 基站累计 321.5 万个，估算 2023 年 5G 直接带动经济总产出 1.86 万亿元，间接带动总产出 4.24 万亿元。
三安集成成立于 2014 年，持续投入氮化镓、砷化镓射频芯片的制程研发和制造，在厦门和泉州布局了大规模射频芯片产业链。其主营业务涵盖氮化镓射频功放代工、砷化镓射频功放代工、射频封测代工和滤波器产品，应用领域包括民用基站、智能手机、Wi-Fi 和物联网等，在国内射频芯片制造领域占据重要地位。据了解，三安集成作为全球通信基站厂商的主要供应商之一，依据公司供应的晶圆数量计算，已占据全球约 20%的份额。
值得一提的是，此次获奖已是三安光电第二次荣获国家科学技术进步奖一等奖。2020 年 1 月，三安光电凭借“高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化”项目，与中国科学院等共同荣膺 2019 年度国家科学技术进步奖一等奖。
杭州士兰微电子
荣获国家科学技术进步二等奖
另外，杭州士兰微电子股份有限公司参与的“功率 MOS 与高压集成芯片关键技术及应用”项目斩获国家科技进步二等奖。该项目的主要完成单位包括电子科技大学、上海华虹宏力半导体制造有限公司、华润微电子控股有限公司。
该项目突破了功率高压 MOS 集成耐压的瓶颈，通过产学研合作，创建了三类达到国际先进水平的功率半导体制造量产工艺平台，为全球 200 余家企业提供了芯片制造服务，增强了我国功率高端芯片的国际竞争力，推动了中国功率半导体行业的发展。
士兰微电子成立于 1997 年，2003 年 3 月在上海证券交易所主板上市，已成长为国内主要的综合型半导体设计与制造（IDM）企业之一。公司专注于硅半导体和化合物半导体产品的设计、制造和封装，其技术水平、营业规模、盈利能力等各项指标在国内同行中均位居前列。
结尾
国家科学技术奖励大会不仅是对过去一年科技创新成果的肯定，更是对未来科技创新的激励与引领。相信在这些优秀成果和杰出科学家的带动下，我国的科技事业将不断取得新的突破，为实现中华民族伟大复兴的中国梦提供强大的科技支撑。让我们共同期待更多的科技创新成果涌现，为人类的进步和发展贡献中国智慧和力量。
2024 年 6 月 24 日，2023 年度国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行。
今年的奖项呈现出丰富多样的分布，具有诸多显著的获奖特点：
国家最高科学技术奖授予 2 人，分别是武汉大学的李德仁院士和清华大学的薛其坤院士。
国家自然科学奖共有 49 项，其中一等奖 1 项，二等奖 48 项。
国家技术发明奖达 62 项，包含一等奖 8 项，二等奖 54 项。
国家科学技术进步奖共计 139 项，其中特等奖 3 项，一等奖 16 项，二等奖 120 项。
此外，中华人民共和国国际科学技术合作奖的获得者有 10 人。
三安集成
荣膺国家科学技术进步一等奖
其中，三安光电的全资子公司三安集成与西安电子科技大学、华为、中兴通讯、中国电子科技集团公司第十三研究所等单位携手完成的“高能效超宽带氮化镓功率放大器关键技术及在 5G 通信产业化应用”项目，荣获 2023 年度国家科学技术进步奖一等奖。
该项目成功攻克了高品质氮化镓（GaN）射频功放芯片在 5G 通信产业化应用方面的技术难题，促使 GaN 器件在 5G 移动基站实现大规模应用，确保我国基站用 GaN 器件及工艺处于国际领先水平。
三安集成在该项目中承担了氮化镓功率放大器关键技术的研发与产业化工作，构建了自主工艺技术平台。通过与高校、通讯龙头企业的协同合作，攻克了 5G 移动通信基站用宽带、高效、高线性功率放大器的核心工艺技术，形成了具备自主知识产权的氮化镓功放芯片制造工艺技术解决方案，并通过了 5G 组件和系统的应用验证，实现了在客户端的稳定批量供货。
5G 技术对射频功放的工作频率、能效、带宽和线性度均提出了更为严苛的要求。氮化镓作为第三代半导体材料，相比传统硅基射频器件具有更出色的高频特性，被业界视作目前 5G 基站功放的最优解决方案。该项目成果有效满足了我国 5G 基站对高性能氮化镓功放的迫切需求，为我国在新一代移动通信技术领域占据国际领先地位奠定了关键基础，并取得了显著的经济和社会效益。据中国信通院白皮书发布的信息，截至 2023 年 10 月底，国内已部署开通 5G 基站累计 321.5 万个，估算 2023 年 5G 直接带动经济总产出 1.86 万亿元，间接带动总产出 4.24 万亿元。
三安集成成立于 2014 年，持续投入氮化镓、砷化镓射频芯片的制程研发和制造，在厦门和泉州布局了大规模射频芯片产业链。其主营业务涵盖氮化镓射频功放代工、砷化镓射频功放代工、射频封测代工和滤波器产品，应用领域包括民用基站、智能手机、Wi-Fi 和物联网等，在国内射频芯片制造领域占据重要地位。据了解，三安集成作为全球通信基站厂商的主要供应商之一，依据公司供应的晶圆数量计算，已占据全球约 20%的份额。
值得一提的是，此次获奖已是三安光电第二次荣获国家科学技术进步奖一等奖。2020 年 1 月，三安光电凭借“高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化”项目，与中国科学院等共同荣膺 2019 年度国家科学技术进步奖一等奖。
杭州士兰微电子
荣获国家科学技术进步二等奖
另外，杭州士兰微电子股份有限公司参与的“功率 MOS 与高压集成芯片关键技术及应用”项目斩获国家科技进步二等奖。该项目的主要完成单位包括电子科技大学、上海华虹宏力半导体制造有限公司、华润微电子控股有限公司。
该项目突破了功率高压 MOS 集成耐压的瓶颈，通过产学研合作，创建了三类达到国际先进水平的功率半导体制造量产工艺平台，为全球 200 余家企业提供了芯片制造服务，增强了我国功率高端芯片的国际竞争力，推动了中国功率半导体行业的发展。
士兰微电子成立于 1997 年，2003 年 3 月在上海证券交易所主板上市，已成长为国内主要的综合型半导体设计与制造（IDM）企业之一。公司专注于硅半导体和化合物半导体产品的设计、制造和封装，其技术水平、营业规模、盈利能力等各项指标在国内同行中均位居前列。
结尾
国家科学技术奖励大会不仅是对过去一年科技创新成果的肯定，更是对未来科技创新的激励与引领。相信在这些优秀成果和杰出科学家的带动下，我国的科技事业将不断取得新的突破，为实现中华民族伟大复兴的中国梦提供强大的科技支撑。让我们共同期待更多的科技创新成果涌现，为人类的进步和发展贡献中国智慧和力量。
