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led芯片，封装十大品牌申请Micro LED相关专利
近期，显示之家解到，led芯片，封装十大品牌乾照光电、兆驰半导体等多家企业均有Micro LED相关专利在近期有进入公布阶段。
兆驰半导体：一种Micro LED芯片及其制备方法
6月6日，兆驰半导体公布了“一种Micro LED芯片及其制备方法”的发明专利。
本发明提供一种Micro LED芯片及其制备方法，该方法通过将红绿蓝三色外延层制备在同一个衬底上，然后再依此制备电流扩展层、反射墙、第 一电极、布拉格反射层、第二电极及焊盘层，且所述反射墙设置于红绿蓝三色四周，使得红绿蓝三色芯片侧面出光可以通过反射墙反射从衬底面射出，避免了的蓝光外延层吸收绿光芯片的侧面出光，绿光外延层吸收红光芯片的侧面出光，造成绿光芯片和红光芯片的亮度损失。
所述方法制备的Micro LED芯片不需要衬底剥离工艺，降低了衬底剥离工艺所需要的高额成本，同时该方法还可以同时在衬底上完成N个像素点，相当于无限的缩小像素点之间的距离，得到更优 秀的显示效果。
兆驰半导体：一种Micro LED芯片及其制备方法
除此之外，5月23日，兆驰半导体还在企查查公布了一种“用于Micro LED的外延片及其制备方法”的发明专利。
本发明公开了一种用于Micro LED的外延片及其制备方法、Micro LED，涉及半导体光电器件领域。用于Micro LED的外延片包括衬底和依次设于衬底上的形核层、本征GaN层、N‑GaN层、V型坑开口层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层；
V型坑开口层包括依次层叠的SiO2岛层、SiO2岛填平层和V型坑开口延伸层；
SiO2岛层包括多个阵列分布于N‑GaN层上的SiO2岛；
SiO2岛填平层包括AlN层；
V型坑开口延伸层为InGaN层和第 一ALGaN层交替生长形成的周期性结构。
实施本发明，可提升发光二极管的发光效率，提高抗静电能力，提高发光波长和发光亮度均匀性。
乾照光电：一种LED芯片及其制备方法
5月30日，乾照光电公布了“一种LED芯片及其制备方法”的发明专利。
本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过将衬底设置具有多个凸起，所述发光结构层叠于所述衬底具有凸起的一侧表面；其中，所述凸起沿第 一方向的横截面积逐渐减小；沿第 一方向上所述凸起的单位高度所对应的横截面积差值为变化速率，则变化速率和凸起高度的曲线呈“V”形；所述第 一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述发光结构。
基于上述设置所获得的凸起形状，使得光在所述凸起形成更全面的反射方向，从而扩大了LED芯片的发光角度；如此，在后续显屏组装时可简化背光设计，尤其适用于微型LED芯片(如Mini LED或Micro LED等)。
乾照光电：一种Micro LED显示装置及其制作方法
除此之外，5月12日，乾照光电公布了“一种Micro LED显示装置及其制作方法”发明专利。
本发明提供一种Micro LED显示装置及其制作方法，其中Micro LED显示装置包括：驱动电路单元，设置在驱动电路单元上的若干像素单元。
每个像素单元均包括：发光单元，发光单元通过分割道间隔设有三个发光结构，三个发光结构为紫外光发光结构或紫光发光结构，通过荧光粉激发获得白光，经过红、绿、蓝三基色滤光片后，结合控制第 一电极、第二电极、第三电极和第四电极，可以实现红、绿、蓝三基色单色控制及其混色控制。
第 一电极、第二电极、第三电极和第四电极同时设置在背光面这一侧，可增加出光面的发光面积，且第四电极通过分割道与透明导电层连接，可明显增大电流扩展和增强电导热能力，进而提高Micro LED显示装置的发光效率和可靠性。
