十大MicroLED芯片制备流程重要前五

来源：时间：2023-07-11 11:08:51

与LED显示相同，Microled芯片一般采用刻蚀和外延生长（Epitaxy，又称磊晶）的方式制备。芯片制作流程主要包括以下几步：

衬底制备

衬底制备，用有机溶剂和酸液清洗蓝宝石衬底后，采用干法刻蚀制备出图形化蓝宝石衬底。

中间层制备

中间层制备，利用MOCVD进行气相外延，在高温条件下分别进行GaN缓冲层、N型GaN层、多层量子阱、P型GaN层生长制备。

台阶刻蚀

台阶刻蚀，在外延片表面形成图形化光刻胶，之后利用感应耦合等离子体刻蚀（ICP）工艺刻蚀到N型GaN层。

导电层制备

导电层制备，在样品表面溅射氧化铟锡（ITO）导电层，光刻形成图形化ITO导电层。五是绝缘层制备，利用等离子体增强化学的气相沉积法（PECVD）沉积形成SiO2绝缘层，之后经光刻和湿法刻蚀。

电极制备

电极制备，采用剥离法等方法制备出图形化光刻胶，电子束蒸发Au后利用高压剥离机对光刻胶进行剥离。