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Lumileds 在 InGaN 红光 LED 研发获突破，为红光 Micro LED 带来新机遇
来源：
时间：2024-09-21 15:32:06
在科技不断进步的当下，LED 技术的创新持续推动着各领域的发展。9 月 17 日，Lumileds 宣布在 InGaN 红光 LED 的研发上取得突破性新进展，这一成果引发了行业的广泛关注。
相较于 AlInGaP 材料，采用 InGaN 材料的红光 LED 具有诸多优势。它能够与同样基于 InGaN 材料的绿光和蓝光 LED 在制造过程中相互协调，InGaN 的大规模工业产能带来规模经济优势，且更适合与硅半导体制造集成。此外，InGaN 红光在 Micro LED 的应用前景较佳，在微米级尺寸和低电流密度下仍能保持高效率。
Lumileds 的科学家首次展示了利用 InGaN LED 所产生的鲜艳深红光 LED，主波长为 615nm，对应峰值为 635nm，在 10A/cm² 的电流密度下实现了 7.5% 的光电转换效率。Lumileds 的新研究成果解决了高浓度铟带来的相关挑战，包括电流密度增加所导致的光谱峰值漂移和增宽问题。
Lumileds 氮化物外延开发总监 Rob Armitage 表示，目前，10μm 以下红光 Micro LED 的效率问题是实现成本效益和高效 Micro LED 显示器的障碍之一。Lumileds 在红光 InGaN 上的研究工作，验证了团队正在解决红光 InGaN 成本和效率的道路上，使其能够达到应用门槛。
有产业人士表示，高浓度铟掺杂的氮化镓如果能解决峰值漂移和半波宽度问题，将会是最合适做红光 Micro LED 的技术。另外，Lumileds 成功地在单一的 InGaN 外延堆栈中实现了红、绿、蓝三种光的发射，并将这一成果转化为具有出色颜色质量和电气特性的 Micro LED，将三种原色整合到单个 Micro LED 中，这将为实现低成本、高产量的 Micro LED 显示器组装带来积极影响，并最终将实现 AR 眼镜应用的紧凑型全彩显示器。
Lumileds 在 InGaN 红光 LED 研发上的突破，为红光 Micro LED 的发展带来了新的希望。这一创新成果有望解决当前 Micro LED 领域的一些关键问题，推动 Micro LED 显示器向更高质量、更低成本的方向发展。未来，我们期待 Lumileds 以及整个行业在这一领域继续取得更多的创新成果，为科技进步和社会发展做出更大的贡献。
相较于 AlInGaP 材料，采用 InGaN 材料的红光 LED 具有诸多优势。它能够与同样基于 InGaN 材料的绿光和蓝光 LED 在制造过程中相互协调，InGaN 的大规模工业产能带来规模经济优势，且更适合与硅半导体制造集成。此外，InGaN 红光在 Micro LED 的应用前景较佳，在微米级尺寸和低电流密度下仍能保持高效率。
Lumileds 的科学家首次展示了利用 InGaN LED 所产生的鲜艳深红光 LED，主波长为 615nm，对应峰值为 635nm，在 10A/cm² 的电流密度下实现了 7.5% 的光电转换效率。Lumileds 的新研究成果解决了高浓度铟带来的相关挑战，包括电流密度增加所导致的光谱峰值漂移和增宽问题。
Lumileds 氮化物外延开发总监 Rob Armitage 表示，目前，10μm 以下红光 Micro LED 的效率问题是实现成本效益和高效 Micro LED 显示器的障碍之一。Lumileds 在红光 InGaN 上的研究工作，验证了团队正在解决红光 InGaN 成本和效率的道路上，使其能够达到应用门槛。
有产业人士表示，高浓度铟掺杂的氮化镓如果能解决峰值漂移和半波宽度问题，将会是最合适做红光 Micro LED 的技术。另外，Lumileds 成功地在单一的 InGaN 外延堆栈中实现了红、绿、蓝三种光的发射，并将这一成果转化为具有出色颜色质量和电气特性的 Micro LED，将三种原色整合到单个 Micro LED 中，这将为实现低成本、高产量的 Micro LED 显示器组装带来积极影响，并最终将实现 AR 眼镜应用的紧凑型全彩显示器。
Lumileds 在 InGaN 红光 LED 研发上的突破，为红光 Micro LED 的发展带来了新的希望。这一创新成果有望解决当前 Micro LED 领域的一些关键问题，推动 Micro LED 显示器向更高质量、更低成本的方向发展。未来，我们期待 Lumileds 以及整个行业在这一领域继续取得更多的创新成果，为科技进步和社会发展做出更大的贡献。
