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十大Micro LED未来之路，你认为那条路有可能最好？
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时间：2023-06-25 16:17:28
Micro LED未来发展之路一直备受业内专业人士关注，今日显示之家携业内领导为你解读。
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一是通过芯片尺寸界定，将LED芯片缩放至小于100μm，便可称为Micro LED芯片(也有学者认为应以50μm为界)。根据观看距离和人眼的极限分辨率，对芯片尺寸的要求也不同：
VR/AR应用观看距离约5cm，像素密度要达到1800PPI左右，此时Micro LED芯片尺寸为3~5 μm;
10英寸~12英寸的平板至少要达到300PPI的像素密度，对应芯片尺寸为20~30μm;
75英寸的电视则只需43PPI，芯片尺寸往往为200μm左右。
不同应用对Micro-LED芯片尺寸的要求，制表丨果壳硬科技
参考资料丨《电子工业专用设备》
另一种是通过工艺界定，由于Micro LED芯片尺寸非常小，其长宽甚至比芯片的高度还小，导致芯片高度大于固晶面尺寸，不利于芯片在基板上固定，因此会比传统LED增加一步激光剥离芯片基板的操作。
纵观整个显示行业，技术持续涌现，目前市场主流技术包括TFT LCD(薄膜晶体管液晶显示)、AMOLED(主动矩阵有机发光二极管显示)、QD-OLED(混合OLED和QLED的技术)、QNED(以蓝光LED作为光源的QD-OLED显示)、Mini-LED、Micro LED、Micro OLED。
可以简单将现阶段显示技术分为LCD、OLED、QLED、Micro LED四个大类，其他技术是在此基础上的改良版或过渡版，而Micro LED被认为是理想的显示技术，是新型显示时代的终极目标，有望替代现阶段大面积使用的LCD和OLED。
从黑白到高清彩色，CRT技术满足了一代人对影响世界的梦想。从又厚又重到平板显示，LCD和OLED满足了人们对轻薄、便携、对视力友好的要求。而现阶段，唯一能达到更接近现实，甚至是能够骗过人眼的下一代显示技术，是Micro LED。
行业人士认为，当多种显示技术集中爆发后，最终可能只会有一两种技术能主导市场，而最有希望的无疑是Micro LED。
主流显示技术的分类，制图丨果壳硬科技
参考资料丨《Micro LED显示研究报告（2019）》[4]，《电子工业专业设备》
Micro LED凭什么能获得如此高的评价?因为它不仅拥有LED的大部分优点，还具有高亮度、高分辨率、高响应速度、低功耗、体积小、易拆解、灵活度高、无拼缝等特征，能够覆盖绝大多数显示应用场景[5] 。与此同时，它的响应速度能够达到几十纳秒，没有残像且不存在寿命问题。
除此之外，对比LCD、OLED、QLED等前辈，Micro LED的主要性能参数均较为优异。
现代显示技术比较
过渡技术已大规模商业化
Micro LED还有一个近亲：Mini LED，可以将后者理解为LED与Micro LED间的过渡技术。由于技术原理极为类似，业界普遍将二者归结于一个路线中，有些情况也会被合称为MLED。
作为前序技术，Mini LED主要解决的问题是芯片尺寸断层问题，相关技术发展对Micro LED具备一定的借鉴作用，其芯片尺寸一般为75μm~300μm。
LED全景图
Mini LED要比Micro LED实现起来简单地多，不仅在芯片尺寸上更容易被实现，而且在材料上也没有科学性的难题，已被量产投入到市场中，苹果、三星、TCL等品牌已实现规模化量产。
但Mini LED与Micro LED有不同应用场景，市面上Mini LED一般作为LCD背光源出现，再结合量子点技术，实现高动态范围显示，而Micro LED则直接用于制作显示像素[7] 。简单来说，市售的Mini LED显示器本质上还是LCD，Mini LED只是LCD的一个陪衬，而Micro LED显示器则直接发光成像。
自2018年开始，面板厂商陆续发布使用Mini LED作为背光的样机，产品尺寸达到152.4mm~685.8mm(6~27英寸)，至今为止，Mini LED背光的显示器已拥有1398mm(55英寸)、1651mm(65英寸)、1905 mm(75英寸)和2159 mm(85英寸)等型号，可达8K分辨率、120Hz刷新率的高指标，可将现有显示器对比度由10000∶1拉升至1000000∶1。
Mini LED产业化行径明晰，已具备一定出货量。2021年，全球中尺寸Mini LED背光面板出货量达740万片。到2023年，智能汽车将成为Mini LED的新阵地。
基于Mini-LED背光产品的发展路线
作为中间过渡的Mini LED产业一派欣欣向荣之势，而Micro LED依然小众，那想让么Micro LED出圈，究竟难在哪里?
想造，没那么容易
Micro LED什么都好，就是贵。究其原因，在于制造环节的难题较多，导致难以大量生产、良率较低，引发价格攀升。
从表面看，Micro LED芯片只是将LED芯片微缩化，但实际情况远比想象中要难。从毫米级到微米级转换的过程，本质是LED微小化、薄膜化和矩阵化，在该过程中材料生长、器件制备、驱动技术、生产工艺等步骤都发生了变化，最终产生质变。
Micro LED采用的是RGB(红绿蓝)颜色标准，由于是自发光元件，想让Micro LED显现图像，就要分别做出三基色的发光芯片，以此构成一个个像素。
用不同材料，可以制备不同颜色的Micro LED芯片，如InGaN/GaN基材料用于制备绿光/蓝光Micro LED阵列，AlInGaP/GaAs基材料用于制备红光Micro LED阵列，蓝宝石、砷化镓和硅等衬底上生长外延层，制备Micro LED阵列。
从衬底到产品，Micro LED显示器会经过外延生长、芯片制造、巨量转移、性能检测四大工艺。
Micro-LED器件制造工艺流程
Micro-LED器件制造简述和难点，制表丨果壳硬科技
参考资料《激光与光电子学进展》，《电子工业专业设备》
从技术上来看，芯片制备相关的材料和设备上相对成熟，问题症候在于制造环节，具体来说，Micro LED的壁垒包括以下几点：
都是小惹的祸
对芯片来说，尺寸做得越小，制造难度就越大，Micro LED亦如此。Micro LED芯片的尺寸实在太小了，将其制作成各种显示器件时，都要考虑小尺寸带来的影响。
要取得小尺寸的Micro LED，就要使用微缩制程技术，将LED芯片微缩后到满足应用要求的尺寸。微缩制程技术包括芯片焊接、晶圆焊接、薄膜转移三种路径，技术实施得越好，像素密度就会越高。
微缩制程技术实现的三种路径，制表丨果壳硬科技
参考资料丨《Micro-LED技术路线图（2020版）》，有删改
Micro LED还有个不得不面对的致命问题：在微缩过程中，时常会产生侧壁缺陷。比如，同样是2μm的误差缺陷，在250μm×250μm尺寸的LED上，剩余可使用率为97%，但在5μm×5μm的Micro-LED上，剩余可使用率仅为4%。
误差缺陷导致芯片使用率大幅度降低
不仅如此，Micro LED芯片尺寸越小，电感耦合等离子体(ICP)刻蚀区域(侧壁)与有源区体积的比率就会越大，刻蚀损伤所形成的缺陷占比越高。导致非辐射复合比例逐渐上升，发光效率和使用寿命下降。如尺寸从400μm减小至20μm，电流密度光效下降比例可达50%。这还会导致有源区内肖克利·雷德·霍尔(SRH)非辐射复合几率增加、辐射复合几率和发光效率降低、引入新的漏电通道加重器件反向漏电。这些问题，在尺寸小于10μm的Micro LED上尤为显著。
芯片尺寸问题还会让提高驱动器与Micro LED阵列集成的效率和稳定性成为难题。简言之，量产LED或是Mini LED的工艺流程，对Micro LED来说可能不再适用。
巨量转移的困境
LED显示器的每个像素点都由点阵组合而成，一个个小LED芯片组成的阵列的间距基本一致。Micro LED也是同理。制造出芯片后，也要将大批量的Micro-LED芯片定点巨量地转移到电路基板上，这个过程就是“巨量转移”。
与传统的LED不同，Micro LED的巨量转移不仅对转移精度、转移速率、色彩均匀度的控制有更高要求，转移数量也更大，4K的Micro LED显示器需完成两千多万颗的Micro-LED芯片倒装，而8K则达到了上亿颗。
目前巨量转移技术有多种技术方案，包括精准拾取技术、激光释放技术、流体自组装技术及滚轮转印技术等，不同技术拥有不同特性，但都存在一定弊端。
Micro-LED芯片巨量转移方式
具体来说，精准拾取技术对转移设备精准度及稳定度要求极高;激光释放技术在实施过程中可能会对芯片表面造成损伤，降低良率，此外激光设备价格昂贵;流体组装技术需经历3次才能完成转移，效率较低;滚轮转印技术可在柔性基底上实现转移，但同样需要3次转移才能完成巨量转移。
部分方法在实验室可达99.99%的良率，但比起至少要达到99.9999%良率的产业化要求，相差距离较大。业界正在探寻一种易实现、良率高又较为便宜的技术方案。
缤纷色彩背后的挑战
为什么显示器能够呈现得如此丰富多彩?因为显示界普遍采用了RGB(红绿蓝)颜色系统，通过RGB三原色叠加合成，能够实现肉眼可见的大部分色彩。想要Micro LED能够正确描绘出画面，就要做好色彩方案，即全彩化。
Micro LED彩色化主要有两种解决方案：一种是蓝色源转色方案，但色转换材料存在涂布均匀性和信赖性等问题，应用较少;另一种是直接使用LED的RGB三色方案，但对Micro LED来说，这种方案并不是拿来就能用，需要对LED大小进行相应调整，此外由于各色波长均一性差异，还会面临光效率和良率不足的问题。
不同彩色化技术
产业链上的难题
造出Micro LED芯片并不代表着结束，要让它真正显现在人们眼前，在多个技术领域上都要有所突破。
与其它芯片技术相同，Micro LED也将牵扯庞大的产业链与原材料问题，从原料到点亮屏幕，分为上游、中游和下游，每个环节都与最终成品息息相关，其中较为关键的技术包括驱动IC、驱动背板和封装。
Mirco-LED显示产业链
产业正蓄势待发
作为终极目标，Micro LED无疑是显示领域的明星。
2000年以来，得州理工大学教授提出Micro LED的概念，堪萨斯州立大学制备基于Ⅲ族氮化物Micro LED[，学术界自此掀起研究浪潮。尤其在2006年后，开始呈指数型增长。谷歌学术数据显示，截止目前，Micro LED领域已有近6000篇文献。
世界各地研究机构与厂商也相继投入Micro LED的研究，在消费电子巨头牵动下，Micro LED初步产业化。
2012年，索尼发布55英寸高清Micro LED电视面板Crystal LED，它是首个作为商业产品出现的产品;
2014年，苹果公司收购Lux Vue，入场Micro LED的技术研究，这项技术真正开始进入大众视野，迄今为止，苹果不仅持续推动Micro LED技术发展，还发布了多款Mini LED相关产品;
2018年，三星于CES展推出全球首款模组化拼接的146英寸Micro LED TV“The Wall”;
2020年12月，三星发售110英寸Micro LED电视;
2021年1月，Vuzix发布首款商业化的Micro LED AR智能眼镜。
从专利上来看，2002年～2014年，Micro LED专利申请总量较小。而自2017年开始，申请量开始大幅提升。
Micro-LED发展历程
由于技术难题较多，现阶段Micro LED整体市场规模有限，业内预计，Micro LED在2024年将实现大规模商用化。
据Research And Markets统计，2020年，Micro LED的全球市场规模为10亿美元，预计到2027年将以77.1%的年复合增长率增长 。另据高工产研LED研究所(GGII)预测，2025年全球市场规模将超过35亿美元，2027年有望突破100亿美元 。反观国内方面，有望在大规模商用化之后冲击800亿元市场规模。
Micro-LED技术路线图
目前市场侧Micro LED应用分为两大方向，一是以苹果为代表的可穿戴市场，另一个是以三星、索尼为代表的超大尺寸电视市场。短期来看，市场将集中在超小型显示器上，中长期来看，Micro LED将会横跨可穿戴设备、超大室内外显示屏幕、抬头显示器(Head-Up Display，HUD)、车尾灯、AR/VR/MR、投影机等多领域。
推进产业化的企业主要包括三类：第一类为传统LED芯片和封装企业，如日亚、晶电Lumens等企业;第二类为TFT-LCD和OLED等新型显示企业，如京东方;第三类为终端企业，如索尼、三星、LG。
产业化形式上则以合作为主，Micro LED以定制化设计为主，加之技术要求较高，行业呈现高度整合态势，面板、芯片、巨量转移及驱动IC等厂商抱团式发展。
国际上，相关融资也此起彼伏，目标均指向大规模产业化。
2022年1月~11月中旬Micro-LED国际相关融资不完全统计，制表丨果壳硬科技
Micro LED在国内也受到热捧，在政策上不断倾斜，且投融资动作频繁。《2022 Mini/Micro LED显示产业白皮书》显示，仅2022年1月~8月，国内就有30多家企业有投资动作，涉及资金总计达415亿元。
我国产业链上下游企业也纷纷在LED、巨量转移、彩色化、检测、修复等关键技术开展技术合作，形成“京东方+华灿光电”“三安+华星光电”“富采+錼创+友达+群创”三大阵营[27] 。与此同时，国内已展开可穿戴显示、高清移动显示、车载显示、高清大尺寸显示、超大尺寸拼接商用显示样机的研发及试产工作。
2022年1月~11月中旬Micro-LED国内相关融资不完全统计，制表丨果壳硬科技
对产业来说，Micro LED未来之路非黑即白，从好的方面来看，市场前景一片光明，从坏的方面来看，短时是销量的博弈。
一方面，市场下行，面板行业则是砍单风暴的第一批“受害者”，消费电子需求不济，不知道这种情况是否会在大规模商业化时有所缓解。
另一方面，对普通消费者而言，他们更多关注的是产品的性能、功能及价格，对于采用是哪种技术，并不会过多关心。对于显示厂商来说，最为重要的，可能便是思考如何让更多普通消费者感受到Micro LED对生活的改变。
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一是通过芯片尺寸界定，将LED芯片缩放至小于100μm，便可称为Micro LED芯片(也有学者认为应以50μm为界)。根据观看距离和人眼的极限分辨率，对芯片尺寸的要求也不同：
VR/AR应用观看距离约5cm，像素密度要达到1800PPI左右，此时Micro LED芯片尺寸为3~5 μm;
10英寸~12英寸的平板至少要达到300PPI的像素密度，对应芯片尺寸为20~30μm;
75英寸的电视则只需43PPI，芯片尺寸往往为200μm左右。
不同应用对Micro-LED芯片尺寸的要求，制表丨果壳硬科技
参考资料丨《电子工业专用设备》
另一种是通过工艺界定，由于Micro LED芯片尺寸非常小，其长宽甚至比芯片的高度还小，导致芯片高度大于固晶面尺寸，不利于芯片在基板上固定，因此会比传统LED增加一步激光剥离芯片基板的操作。
纵观整个显示行业，技术持续涌现，目前市场主流技术包括TFT LCD(薄膜晶体管液晶显示)、AMOLED(主动矩阵有机发光二极管显示)、QD-OLED(混合OLED和QLED的技术)、QNED(以蓝光LED作为光源的QD-OLED显示)、Mini-LED、Micro LED、Micro OLED。
可以简单将现阶段显示技术分为LCD、OLED、QLED、Micro LED四个大类，其他技术是在此基础上的改良版或过渡版，而Micro LED被认为是理想的显示技术，是新型显示时代的终极目标，有望替代现阶段大面积使用的LCD和OLED。
从黑白到高清彩色，CRT技术满足了一代人对影响世界的梦想。从又厚又重到平板显示，LCD和OLED满足了人们对轻薄、便携、对视力友好的要求。而现阶段，唯一能达到更接近现实，甚至是能够骗过人眼的下一代显示技术，是Micro LED。
行业人士认为，当多种显示技术集中爆发后，最终可能只会有一两种技术能主导市场，而最有希望的无疑是Micro LED。
主流显示技术的分类，制图丨果壳硬科技
参考资料丨《Micro LED显示研究报告（2019）》[4]，《电子工业专业设备》
Micro LED凭什么能获得如此高的评价?因为它不仅拥有LED的大部分优点，还具有高亮度、高分辨率、高响应速度、低功耗、体积小、易拆解、灵活度高、无拼缝等特征，能够覆盖绝大多数显示应用场景[5] 。与此同时，它的响应速度能够达到几十纳秒，没有残像且不存在寿命问题。
除此之外，对比LCD、OLED、QLED等前辈，Micro LED的主要性能参数均较为优异。
现代显示技术比较
过渡技术已大规模商业化
Micro LED还有一个近亲：Mini LED，可以将后者理解为LED与Micro LED间的过渡技术。由于技术原理极为类似，业界普遍将二者归结于一个路线中，有些情况也会被合称为MLED。
作为前序技术，Mini LED主要解决的问题是芯片尺寸断层问题，相关技术发展对Micro LED具备一定的借鉴作用，其芯片尺寸一般为75μm~300μm。
LED全景图
Mini LED要比Micro LED实现起来简单地多，不仅在芯片尺寸上更容易被实现，而且在材料上也没有科学性的难题，已被量产投入到市场中，苹果、三星、TCL等品牌已实现规模化量产。
但Mini LED与Micro LED有不同应用场景，市面上Mini LED一般作为LCD背光源出现，再结合量子点技术，实现高动态范围显示，而Micro LED则直接用于制作显示像素[7] 。简单来说，市售的Mini LED显示器本质上还是LCD，Mini LED只是LCD的一个陪衬，而Micro LED显示器则直接发光成像。
自2018年开始，面板厂商陆续发布使用Mini LED作为背光的样机，产品尺寸达到152.4mm~685.8mm(6~27英寸)，至今为止，Mini LED背光的显示器已拥有1398mm(55英寸)、1651mm(65英寸)、1905 mm(75英寸)和2159 mm(85英寸)等型号，可达8K分辨率、120Hz刷新率的高指标，可将现有显示器对比度由10000∶1拉升至1000000∶1。
Mini LED产业化行径明晰，已具备一定出货量。2021年，全球中尺寸Mini LED背光面板出货量达740万片。到2023年，智能汽车将成为Mini LED的新阵地。
基于Mini-LED背光产品的发展路线
作为中间过渡的Mini LED产业一派欣欣向荣之势，而Micro LED依然小众，那想让么Micro LED出圈，究竟难在哪里?
想造，没那么容易
Micro LED什么都好，就是贵。究其原因，在于制造环节的难题较多，导致难以大量生产、良率较低，引发价格攀升。
从表面看，Micro LED芯片只是将LED芯片微缩化，但实际情况远比想象中要难。从毫米级到微米级转换的过程，本质是LED微小化、薄膜化和矩阵化，在该过程中材料生长、器件制备、驱动技术、生产工艺等步骤都发生了变化，最终产生质变。
Micro LED采用的是RGB(红绿蓝)颜色标准，由于是自发光元件，想让Micro LED显现图像，就要分别做出三基色的发光芯片，以此构成一个个像素。
用不同材料，可以制备不同颜色的Micro LED芯片，如InGaN/GaN基材料用于制备绿光/蓝光Micro LED阵列，AlInGaP/GaAs基材料用于制备红光Micro LED阵列，蓝宝石、砷化镓和硅等衬底上生长外延层，制备Micro LED阵列。
从衬底到产品，Micro LED显示器会经过外延生长、芯片制造、巨量转移、性能检测四大工艺。
Micro-LED器件制造工艺流程
Micro-LED器件制造简述和难点，制表丨果壳硬科技
参考资料《激光与光电子学进展》，《电子工业专业设备》
从技术上来看，芯片制备相关的材料和设备上相对成熟，问题症候在于制造环节，具体来说，Micro LED的壁垒包括以下几点：
都是小惹的祸
对芯片来说，尺寸做得越小，制造难度就越大，Micro LED亦如此。Micro LED芯片的尺寸实在太小了，将其制作成各种显示器件时，都要考虑小尺寸带来的影响。
要取得小尺寸的Micro LED，就要使用微缩制程技术，将LED芯片微缩后到满足应用要求的尺寸。微缩制程技术包括芯片焊接、晶圆焊接、薄膜转移三种路径，技术实施得越好，像素密度就会越高。
微缩制程技术实现的三种路径，制表丨果壳硬科技
参考资料丨《Micro-LED技术路线图（2020版）》，有删改
Micro LED还有个不得不面对的致命问题：在微缩过程中，时常会产生侧壁缺陷。比如，同样是2μm的误差缺陷，在250μm×250μm尺寸的LED上，剩余可使用率为97%，但在5μm×5μm的Micro-LED上，剩余可使用率仅为4%。
误差缺陷导致芯片使用率大幅度降低
不仅如此，Micro LED芯片尺寸越小，电感耦合等离子体(ICP)刻蚀区域(侧壁)与有源区体积的比率就会越大，刻蚀损伤所形成的缺陷占比越高。导致非辐射复合比例逐渐上升，发光效率和使用寿命下降。如尺寸从400μm减小至20μm，电流密度光效下降比例可达50%。这还会导致有源区内肖克利·雷德·霍尔(SRH)非辐射复合几率增加、辐射复合几率和发光效率降低、引入新的漏电通道加重器件反向漏电。这些问题，在尺寸小于10μm的Micro LED上尤为显著。
芯片尺寸问题还会让提高驱动器与Micro LED阵列集成的效率和稳定性成为难题。简言之，量产LED或是Mini LED的工艺流程，对Micro LED来说可能不再适用。
巨量转移的困境
LED显示器的每个像素点都由点阵组合而成，一个个小LED芯片组成的阵列的间距基本一致。Micro LED也是同理。制造出芯片后，也要将大批量的Micro-LED芯片定点巨量地转移到电路基板上，这个过程就是“巨量转移”。
与传统的LED不同，Micro LED的巨量转移不仅对转移精度、转移速率、色彩均匀度的控制有更高要求，转移数量也更大，4K的Micro LED显示器需完成两千多万颗的Micro-LED芯片倒装，而8K则达到了上亿颗。
目前巨量转移技术有多种技术方案，包括精准拾取技术、激光释放技术、流体自组装技术及滚轮转印技术等，不同技术拥有不同特性，但都存在一定弊端。
Micro-LED芯片巨量转移方式
具体来说，精准拾取技术对转移设备精准度及稳定度要求极高;激光释放技术在实施过程中可能会对芯片表面造成损伤，降低良率，此外激光设备价格昂贵;流体组装技术需经历3次才能完成转移，效率较低;滚轮转印技术可在柔性基底上实现转移，但同样需要3次转移才能完成巨量转移。
部分方法在实验室可达99.99%的良率，但比起至少要达到99.9999%良率的产业化要求，相差距离较大。业界正在探寻一种易实现、良率高又较为便宜的技术方案。
缤纷色彩背后的挑战
为什么显示器能够呈现得如此丰富多彩?因为显示界普遍采用了RGB(红绿蓝)颜色系统，通过RGB三原色叠加合成，能够实现肉眼可见的大部分色彩。想要Micro LED能够正确描绘出画面，就要做好色彩方案，即全彩化。
Micro LED彩色化主要有两种解决方案：一种是蓝色源转色方案，但色转换材料存在涂布均匀性和信赖性等问题，应用较少;另一种是直接使用LED的RGB三色方案，但对Micro LED来说，这种方案并不是拿来就能用，需要对LED大小进行相应调整，此外由于各色波长均一性差异，还会面临光效率和良率不足的问题。
不同彩色化技术
产业链上的难题
造出Micro LED芯片并不代表着结束，要让它真正显现在人们眼前，在多个技术领域上都要有所突破。
与其它芯片技术相同，Micro LED也将牵扯庞大的产业链与原材料问题，从原料到点亮屏幕，分为上游、中游和下游，每个环节都与最终成品息息相关，其中较为关键的技术包括驱动IC、驱动背板和封装。
Mirco-LED显示产业链
产业正蓄势待发
作为终极目标，Micro LED无疑是显示领域的明星。
2000年以来，得州理工大学教授提出Micro LED的概念，堪萨斯州立大学制备基于Ⅲ族氮化物Micro LED[，学术界自此掀起研究浪潮。尤其在2006年后，开始呈指数型增长。谷歌学术数据显示，截止目前，Micro LED领域已有近6000篇文献。
世界各地研究机构与厂商也相继投入Micro LED的研究，在消费电子巨头牵动下，Micro LED初步产业化。
2012年，索尼发布55英寸高清Micro LED电视面板Crystal LED，它是首个作为商业产品出现的产品;
2014年，苹果公司收购Lux Vue，入场Micro LED的技术研究，这项技术真正开始进入大众视野，迄今为止，苹果不仅持续推动Micro LED技术发展，还发布了多款Mini LED相关产品;
2018年，三星于CES展推出全球首款模组化拼接的146英寸Micro LED TV“The Wall”;
2020年12月，三星发售110英寸Micro LED电视;
2021年1月，Vuzix发布首款商业化的Micro LED AR智能眼镜。
从专利上来看，2002年～2014年，Micro LED专利申请总量较小。而自2017年开始，申请量开始大幅提升。
Micro-LED发展历程
由于技术难题较多，现阶段Micro LED整体市场规模有限，业内预计，Micro LED在2024年将实现大规模商用化。
据Research And Markets统计，2020年，Micro LED的全球市场规模为10亿美元，预计到2027年将以77.1%的年复合增长率增长 。另据高工产研LED研究所(GGII)预测，2025年全球市场规模将超过35亿美元，2027年有望突破100亿美元 。反观国内方面，有望在大规模商用化之后冲击800亿元市场规模。
Micro-LED技术路线图
目前市场侧Micro LED应用分为两大方向，一是以苹果为代表的可穿戴市场，另一个是以三星、索尼为代表的超大尺寸电视市场。短期来看，市场将集中在超小型显示器上，中长期来看，Micro LED将会横跨可穿戴设备、超大室内外显示屏幕、抬头显示器(Head-Up Display，HUD)、车尾灯、AR/VR/MR、投影机等多领域。
推进产业化的企业主要包括三类：第一类为传统LED芯片和封装企业，如日亚、晶电Lumens等企业;第二类为TFT-LCD和OLED等新型显示企业，如京东方;第三类为终端企业，如索尼、三星、LG。
产业化形式上则以合作为主，Micro LED以定制化设计为主，加之技术要求较高，行业呈现高度整合态势，面板、芯片、巨量转移及驱动IC等厂商抱团式发展。
国际上，相关融资也此起彼伏，目标均指向大规模产业化。
2022年1月~11月中旬Micro-LED国际相关融资不完全统计，制表丨果壳硬科技
Micro LED在国内也受到热捧，在政策上不断倾斜，且投融资动作频繁。《2022 Mini/Micro LED显示产业白皮书》显示，仅2022年1月~8月，国内就有30多家企业有投资动作，涉及资金总计达415亿元。
我国产业链上下游企业也纷纷在LED、巨量转移、彩色化、检测、修复等关键技术开展技术合作，形成“京东方+华灿光电”“三安+华星光电”“富采+錼创+友达+群创”三大阵营[27] 。与此同时，国内已展开可穿戴显示、高清移动显示、车载显示、高清大尺寸显示、超大尺寸拼接商用显示样机的研发及试产工作。
2022年1月~11月中旬Micro-LED国内相关融资不完全统计，制表丨果壳硬科技
对产业来说，Micro LED未来之路非黑即白，从好的方面来看，市场前景一片光明，从坏的方面来看，短时是销量的博弈。
一方面，市场下行，面板行业则是砍单风暴的第一批“受害者”，消费电子需求不济，不知道这种情况是否会在大规模商业化时有所缓解。
另一方面，对普通消费者而言，他们更多关注的是产品的性能、功能及价格，对于采用是哪种技术，并不会过多关心。对于显示厂商来说，最为重要的，可能便是思考如何让更多普通消费者感受到Micro LED对生活的改变。
